جستجو

تبلیغات



مقاله ترجمه شده برق الکترونیک درباره انرژی خورشیدی و آرایه های فوتوولتاییک

    روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک

     

        این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک را اریه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، می باشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه _که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری اراایه می شوند_ مدل ارایه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه ی واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری _با استفاده از بلوک های ساده ریاضی_ ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می شوند را درمی یابد.سپس روش مدل سازی معرفی شده و بصورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.

    اصطلاحات مربوطه__ آرایه، مدار، معادل، مدل، مدل سازی، فتوولتاییک (PV)، شبیه سازی.


    این مطلب تا کنون 20 بار بازدید شده است.
    ارسال شده در تاریخ پنجشنبه 9 مهر 1394
    منبع
    برچسب ها : سازی ,آرایه ,شبیه ,فتوولتاییک ,مداری ,توان ,شبیه سازی ,ماکزیمم توان ,ارایه شده، ,پارامترهای معادلات ,سازی آرایه ,
    مقاله ترجمه شده برق الکترونیک درباره انرژی خورشیدی و آرایه های فوتوولتاییک

تبلیغات


    تبلیغات شما در این قسمت

پربازدیدترین مطالب

آمار امروز جمعه 11 فروردين 1396

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

آخرین کلمات جستجو شده

تگ های برتر